(PR)SK hynix開發了全球首款採用1c第六代10nm製程的DDR5，並將其也應用於HBM、LPDDR6和GDDR7產品
新聞稿： SK hynix公司今天宣布它已開發出業界首款採用1c製程（第六代10nm製程）打造的16Gb DDR5。這項成功標誌著記憶體製程技術開始向接近10nm的極限微縮。[*]1c製程，第六代10nm，採用業界領先的1b技術平台最有效率地開發
[*]透過採用新材料、優化EUV製程，提高成本競爭力，同時提高電源效率，幫助資料中心電力成本最高降低30%
[*]預計今年實現量產，2025年限量出貨
[*]將1c製程應用於前端DRAM產品，為顧客帶來差異化價值
推進10nm級DRAM技術微縮製程的難度逐代增加，但SK hynix憑藉其業界領先優勢，透過提高設計完成度，成為業界首家克服技術限制的公司。
DRAM開發主管Kim Jonghwan表示：我們致力於將具有最佳性能和成本競爭力的1c技術應用於我們的主要下一代產品，包括HBM、LPDDR6和GDDR7，從而為客戶提供差異化價值。我們將繼續努力保持在DRAM領域的領先地位，並成為最值得信賴的AI記憶體解決方案提供商。
SK hynix表示年內將做好1c DDR5量產準備，明年開始大量出貨。為了減少製程推進過程中可能出現的錯誤，並最有效地轉移因其性能最佳的DRAM而廣受好評的 1b DRAM的優勢，該公司擴展了1b DRAM的平台以開發1c。
新產品在極紫外線（EUV）某個製程上採用了新材料，同時優化了整體EUV應用製程，與上一代產品相比，成本競爭力有所提升。 SK hynix也透過設計方面的技術創新，將生產力提高了30%以上。
預計用於高效能資料中心的1c DDR5的運行速度比上一代提高了11%，達到8Gbps。電源效率也提高了9%以上，在AI時代的進步導致功耗增加的情況下，SK hynix預計1c DRAM的採用將有助於資料中心降低多達30%的電力成本。
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