Kioxia公佈3D NAND快閃記憶體發展藍圖計畫，2027年實現1000層堆疊
Kioxia最近公佈了3D NAND快閃記憶體發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。自2014年以來3D NAND快閃記憶體的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。Kioxia正是採用這種每年平均1.33倍的成長速度，預測2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。在3D NAND快閃記憶體技術的競賽中，鎧俠展現出了對層數挑戰的堅定決心，其目標似乎比三星更為激進。三星雖然也計劃在2030年之前推出超過1000層的先進NAND晶片，併計劃導入新型鐵電材料來實現這一目標，但Kioxia卻更早地設定了具體的實現時間表。
去年Kioxia推出了BiCS8 3D NAND，其層數高達218層，採用1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC）技術，並透過創新的橫向收縮技術，成功將位密度提高了50 %以上。若要實現2027年1000層堆疊的宏偉目標，Kioxia可能會進一步探索五層單元（PLC）技術的應用。
值得注意的是提高3D NAND晶片的密度並非僅僅意味著增加層數，更涉及製造過程中可能遇到的一系列新問題和技術挑戰。
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