三星HBM3E記憶體因過熱和功耗問題未能通過NVIDIA認證
三星的HBM3E記憶體未能通過NVIDIA的資格測試，為這家韓國製造商帶來了新的問題。幾週前有關三星HBM製程缺陷的消息浮出水面。非官方消息人士稱這家韓國龍頭的HBM產品未能滿足NVIDIA的期望。然而路透社也重申了這一進展，顯示三星陣營的情況並不樂觀。值得注意的是從NVIDIA獲得HBM訂單是三星記憶體部門成長策略的重要組成部分，而最近的傳言可能會給這家韓國公司帶來巨大的挫折。
路透社報道稱三星的HBM3和HBM3E製程一直是效率低下的受害者，這就是NVIDIA等公司無法下大訂單的原因。據稱HBM產品存在發熱和功耗問題；就這樣，他們一直無法通過NVIDIA設定的資格測試。然而三星在給路透社的聲明中表示有關未通過資格測試的說法並不成立，該公司與合作夥伴密切合作以優化其產品。
無論這項進展是否真實，這對三星的HBM產品來說仍然是一個打擊，因為由於客戶對遵循此類報告猶豫不決，最終將阻止其大規模採用。然而值得注意的是未通過資格測試並不意味著三星的流程有缺陷。事實上三星已向AMD為其Instinct MI300X加速器提供HBM3記憶體。
最初的報告表明測試失敗與SK等NVIDIA合作夥伴設定的門檻有多高有關，有些報告則與台積電不願看到三星納入供應鏈有關，因此目前情況確實不確定，因此我們還不能妄下結論。
消息來源 名稱有 ice, 結果是 hot!
工藝要再加強! 快把 "正 10nm" 端出來.
10nm 都不知夠不夠用勒.
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