三星準備下一代3D DRAM，堆疊16層以大幅提升容量
三星希望在DRAM標準方面表現出色，該公司正在準備3D DRAM，旨在堆疊更高的單元層以大幅提升容量。由於DRAM產業迫切需要創新，這家韓國龍頭以其新概念介入，以吸引消費者和客戶的興趣。在韓國首爾舉行的國際記憶體研討會 (IMW) 2024 活動上，三星電子副總裁Lee Si-woo展示了全新3D DRAM技術，並聲稱隨著市場尤其是AI領域的快速增長，對先進DRAM技術的需求變得比以往任何時候都更重要。
超大規模人工智慧和按需人工智慧等工業發展需要大量的記憶體處理能力。另一方面現有DRAM的微處理技術有限。隨著我們越來越接近，新的創新預計會出現在cell（儲存資料的單位）的結構中。
- 三星電子副總裁（來自ZDNet 韓國）
三星在3D DRAM架構上進行擴展，據稱三星已透過DRAM整合度和效能兩方面大幅縮小了單元面積，從而實現大幅提升。
這家韓國龍頭採用了一種名為4F Square的著名單元結構，但DRAM電晶體是垂直安裝的，稱為VCT（垂直通道電晶體）技術。透過結合4F Square和VCT來改變單元結構，三星的目標是堆疊盡可能多的單元層，並且以16層為目標，該公司很可能會見證巨大的儲存容量和效能提升。
由於人工智慧炒作和消費者需求，DRAM市場出現了潛在的經濟好轉，我們很高興看到市場上出現這樣的發展，因為它不僅會帶來創新，還會增加市場競爭，最終有利於普通消費者。不過3D DRAM目前還只是一個概念，三星自己也表示這個標準涉及複雜的製造技術，導致生產價格較高。
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