三星HBM3E 12-Hi將於第二季開始量產，包括128GB DDR5、64TB SSD、第9代V-NAND
三星在最新財報中提供了其數據中心產品組合的最新信息，確認下一代HBM3E、DDR5和V-NAND將於第二季推出。這家韓國龍頭報告稱其在人工智慧領域的成長創歷史新高，並將在該領域推出多個新產品線。首先三星已開始批量生產其HBM3E Shinebolt記憶體，該記憶體將於本月首先以8-Hi堆疊形式發貨，隨後將在第二季推出12-Hi版本。下一代記憶體解決方案將為每個堆疊提供高達36GB的容量，適用於AMD MI300X等8模組晶片上高達288GB的產品。
三星電子計畫於4月開始量產HBM3E 8層產品，以應對生成式AI的需求，並計劃在第二季量產12層產品。此外我們計劃在第二季透過採用1b nano 32Gb（gigabit）DDR5的128GB（gigabyte）產品的量產和客戶出貨來加強我們在伺服器市場的領導地位。
NAND計劃及時回應AI需求，將於第二季開發超高容量64TB SSD並提供樣品，並透過業界首次量產第9代V-NAND來增強技術領先地位。
三星
據報導AMD已與三星代工廠簽署了一項協議，後者將供應HBM3E DRAM，用於現有和下一代產品，例如更新的MI350/MI370 GPU，據說這些產品有更大的記憶體容量。在DDR5 DRAM方面，三星將於2024年第二季推出1b(nm) 32Gb記憶體模組並進行量產。三星已經向客戶交付了其下一代DDR5解決方案的首批樣品。
最後三星正在更新SSD V-NAND，將推出64TB資料中心SSD。這些SSD將於2024年第二季向客戶提供樣品，該公司還預計第9代V-NAND將於第三季開始量產。第九代 V-NAND SSD將採用QLC（四級單元）設計。有報導稱TLC V-NAND（第 9 代）將於本月開始生產，傳輸速度將提高33%，達到3200MT/s。這些SSD將利用最新的PCIe Gen5標準。
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