Intel與五角大廈深化合作開發世界上最先進的晶片
在與五角大廈簽署快速保證微電子原型RAMP-C計畫第一階段的兩年半後,Intel加深了與國防部的合作關係。Intel、五角大樓和由CHIPS 案資助的國家安全加速器計畫現已同意合作,生產只能在歐洲或亞洲製造的先進晶片製造流程的早期測試樣品。作為新聞稿的一部分,該晶片製造商今天稍早表示透過RAMP-C,美國政府將能夠首次獲得領先的晶片製造技術。RAMP-C計畫的第三階段將涵蓋採用Intel未來18A製程的原型。這些高階晶片製造流程通常由消費性處理器使用,因為它們使用大量的功率來運行運算和顯示密集型應用程式。
為國家安全應用製造18A晶片是Intel與其DIB(國防工業基地)客戶合作的一部分。名單包括承包商Northrop Grumman 和Boeing,以及消費者公司微軟(Microsoft)、英偉達(NVIDIA) 和IBM,這家總部位於加州的晶片製造公司正在與這些客戶合作開發18A晶片製造技術。
該技術是Intel的下一代製程,根據該公司高層先前的說法其前身即20A製程預計將於2024年投入生產。Intel去年年底也分享了18A的關鍵細節,當時CEO Patrick Gelsinger透露18A製程已提前完成。
同時附有2022年12月的路線圖,兩個月後又發布了Intel路線圖,詳細介紹了18A。可能會在2024年下半年準備好進行風險生產(或按照Intel的說法做好製造準備)。Gelsinger也宣傳了Intel 18A晶片卓越的電源管理能力,將其與台積電 (TSMC) 的2nm技術相媲美。在推出Intel 3製程之後,Intel的晶片製程技術命名法已轉向Angstrom 。
這意味著純粹根據其行銷名稱進行比較,18A晶片製程相當於1.8nm。在晶片製造中,越小越好,因為較小的電路能夠提高導電性和性能吞吐量。現代晶片在很小的空間內擠滿了數十億個電晶體管,這使得它們比前代晶片能夠處理更多的數據。
作為今天發布的內容的一部分,國防部微電子工程負責人Dev Shenoy博士評論五角大樓預計在2025年展示Intel 18A晶片的原型生產。」Intel代工RAMP-C第三階段將重點關注Tapeout出晶片設計。這是設計過程的最後階段,工程師完成過程的概念部分,並將他們的工作轉移到在生產過程中指導先進晶片製造機器的掩模上。
本月早些時候,Intel首次啟動了世界上最先進的晶片製造機,這是其第一台。這些被稱為高NA EUV的機器將透過簡化該公司在其公告中分享的設計流程來減少晶片製造時間。
消息來源
頁:
[1]