三星：已完成16層混合鍵結HBM記憶體驗證，整體高度縮減
三星電子高層近日透露該公司完成了採用16層混合鍵合HBM記憶體技術驗證，已經採用混合鍵合技術的16層堆疊HBM3記憶體樣品，該記憶體樣品工作正常，未來16層堆疊混合鍵合技術將鍵合技術將用於HBM4記憶體量產。混合鍵結技術作為新型的記憶鍵合方式，相較於傳統製程，展現了顯著的優勢它摒棄了DRAM記憶體層間添加凸塊的繁瑣步驟，透過銅對銅的直接連接方式實現層間連接，從而大大提高了工作效率。這種創新不僅顯著提升了訊號傳輸速率，更好地滿足了AI運算對高頻寬的迫切需求，而且有效降低了DRAM層間距，使得HBM模組的整體高度得到顯著縮減，進一步提升了其整合度和便攜性。
儘管混合鍵合技術的成熟度和應用成本一直是業界關注的焦點，但三星電子透過多元化的策略，積極應對這些挑戰。在推進混合鍵合技術研究與應用的同時，公司也同步開發傳統的TC-NCF製程，以實現技術多樣化，降低風險，並增強整體競爭力。
據悉三星設定的目標是將HBM4中的晶圓間隙縮減至7.0微米以內，這將進一步提升HBM4的效能和可靠性，為未來的運算應用奠定堅實基礎。業內專家對此表示三星在16層混合鍵結堆疊製程技術方面的突破，無疑將有力推動HBM記憶體技術的發展，為未來的運算應用提供更強大的記憶體支援。
消息來源
頁:
[1]