SK hynix確認HBM4高頻寬記憶體開發將於2024年開始
SK hynix在部落格文章中確認其下一代HBM4高頻寬記憶體的開發將於2024年開始。到目前為止我們已經看到美光和三星列出了他們的下一代HBM4記憶體產品，同時也確認了開發情況。這兩家公司強調了2025年至2026年左右的推出時間。根據SK hynix的最新確認該公司還宣布計劃於2024年開始生產下一代高頻寬記憶體。
在談到其HBM產品時，高級經理Kim Wang-soo強調該公司將於2024年限量生產自己的HBM3E解決方案，這是現有HBM3的增強版本。新記憶體將提供更高的速度和容量。但同年SK hynix也計劃啟動HBM4記憶體的開發，這將標誌著HBM產品堆疊的持續發展邁出重要一步。
明年這種競爭優勢將持續存在。GSM團隊負責人Kim Wang-soo表示：隨著明年HBM3E的量產和銷售，我們的市場主導地位將再次最大化。 他補充說：隨著後續產品HBM4的開發也計劃正式啟動，SK hynix的HBM將在明年進入一個新階段。這將是我們值得慶祝的一年。
通過SK hynix
現在由於計劃在2024年進行開發，我們預計使用此類記憶體晶片的實際產品將在2025年底或2026年推出。Trendforce分享的最新路線圖預計首批HBM4樣品預計將有高達36GB的容量。 JEDEC預計將在2H 2024-2025時間範圍內發布堆疊和完整規格。預計將於2026年向客戶提供首批樣品並上市，因此我們還有很長的時間才能看到新的高頻寬記憶體解決方案的實際應用。
借助36GB堆疊，您可以獲得高達288GB的容量，並且還規劃了更高的容量。HBM3E記憶體的最高速度已達到9.8Gbps，因此我們可以預期HBM4將成為第一個突破兩位數10+Gbps障礙的記憶體。產品方面NVIDIA的Blackwell預計將採用HBM3E記憶體模組，因此它將是Blackwell的後繼產品（代號可能是Vera Rubin），或者是其升級版本，如Hopper H200（HBM3E），將成為第一個採用HBM4的產品。
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