三星推出9.8Gbps HBM3E Shinebolt、32Gbps GDDR7、7.5Gbps LPDDR5x CAMM2記憶體
三星在2023年記憶體技術日期間正式推出了其下一代記憶體技術，包括HBM3E、GDDR7、LPDDR5x CAMM2等。憑藉三星在2016年將業界首款HBM2商業化並開啟高效能運算 (HPC) HBM 市場的專業知識，該公司今天推出了名為Shinebolt的下一代HBM3E DRAM。三星的 Shinebolt將為下一代人工智慧應用提供動力，提高整體擁有成本 (TCO)，並加快資料中心的人工智慧模型訓練和推理速度。
HBM3E擁有令人印象深刻的速度9.8Gb/秒 (Gbps)，這意味著它可以實現超過1.2TB/秒 (TBps) 的傳輸速率。為了實現更高層堆疊並改善散熱，三星優化了其非導電薄膜（NCF）技術，以消除晶片層之間的間隙並最大限度地提高熱導率。三星的8H和12H HBM3產品目前已進入量產階段，Shinebolt的樣品也已出貨給顧客。
憑藉其作為整體半導體解決方案提供商的實力，該公司還計劃提供將下一代HBM、先進封裝技術和代工產品結合在一起的客製化服務。
其他活動的重點產品包括業界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、業界首款32Gbps GDDR7以及PB級PBSSD，後者可大幅提升伺服器應用的儲存能力。
據三星稱與目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM（提供高達16Gb晶片容量）相比，GDDR7記憶體將提供40%的性能提升和20%的能源效率提升。首批產品的額定傳輸速度高達32Gbps，這比GDDR6記憶體提高了33%，同時實現了在384位元匯流排介面解決方案上實現的高達1.5TB/s的頻寬。
以下是GDDR7 32Gbps速度在多種匯流排配置中提供的頻寬：
[*]512-bit - 2048 GB/s (2.0 TB/s)
[*]384-bit - 1536 GB/s (1.5 TB/s)
[*]320-bit - 1280 GB/s (1.3 TB/s)
[*]256-bit - 1024 GB/s (1.0 TB/s)
[*]192-bit - 768 GB/s
[*]128-bit - 512 GB/s
該公司還測試了運行速度高達36Gbps的早期樣品，但這些樣品是否能實現足夠的量產以滿足下一代遊戲和AI GPU系列的需求？GDDR7的效率也將提高20%，考慮到高階GPU的顯示記憶體消耗大量電力，這一點非常好。據稱三星GDDR7 DRAM將採用專門針對高速工作負載進行最佳化的技術，並且還將提供低工作電壓選項，專為筆記型電腦等需要謹慎用電的應用而設計。對於散熱，新的記憶體標準將採用具有高導熱性的環氧模塑膠 (EMC)，可將熱阻降低高達70%。早在8月就有報導稱三星正在向NVIDIA提供GDDR7 DRAM樣品，以對其下一代遊戲顯示卡進行早期評估。
為了處理資料密集型任務當今的人工智慧技術正在轉向混合模型，在雲端和邊緣設備之間分配工作負載。因此三星推出了一系列支援高效能、大容量、低功耗和小型邊緣的記憶體解決方案。
除了業界首款7.5Gbps LPDDR5X CAMM2（預計將成為下一代PC和筆記型電腦DRAM市場的真正遊戲規則改變者）之外，該公司還展示了其9.6Gbps LPDDR5X DRAM、專門用於設備上AI 的LLW DRAM 、新一代通用快閃記憶體儲存 (UFS) 和用於PC的高容量四級單元 (QLC) SSD BM9C1。
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