三星準備推出第五代HBM3e Shinebolt記憶體：24Gb、12層堆疊、36GB容量和50%效能提升
據報導三星電子已開始測試代號為Shinebolt的第五代HBM3E既體，縮小與SK Hynix的差距。HBM3e在業界的意義是巨大的，因為它將為下一代AI GPU鋪平道路，而這對於實現高運算效能至關重要。根據韓國商報報導三星的HBM3e記憶體類型被命名為Shinebolt，這家韓國龍頭已經向潛在客戶發送了原型機，試圖通過品質測試。這一發展對於三星記憶體部門的未來具有重要意義，因為目前的指標表明三星計劃在HBM行業中取得主導地位。
雖然有關三星Shinebolt HBM3e記憶體的細節很少，但據報導原型版本將採用8-Hi封裝的24GB晶片堆疊，然而最終產品可能會採用更多堆疊。SK Hynix和Micron也已經在開發12-Hi HBM3解決方案。憑藉12-Hi封裝，三星將能夠在單一HBM3e堆疊上提供高達36GB的容量。
初步測試顯示三星HBM3e的最大資料傳輸速度將比其前身提高50%，這將再次為下一代運算派上用場。傳輸速度預計為1.228TB/s，高於SK Hynix的HBM3e版本。
人工智慧發展的激增無疑促進了人工智慧產業的快速發展，也為其他參與者創造了進入的空白。由於三星的記憶體部門在初期無法實現資本化，因此看起來未來對他們來說是令人興奮的，特別是因為主要科技公司實際上對該公司的產品表現出了興趣。
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