瑞薩科技推出最高效能72-Mbit QDRÔ II+ SRAM及DDR II+ SRAM系列產品
滿足次世代通訊網路之533 MHz高運作頻率2009年7月7日東京訊–瑞薩科技公司發表72-Mbit Quad Data Rate II+ (QDRÔ II+)及Double Data Rate II+ (DDRII+)高速SRAM*1系列產品，適用於次世代通訊網路中的高階路由器及交換器，上述SRAM產品可達到業界最高運作速度，並符合QDR Consortium*2工業標準。另外，這次推出的產品亦包含72-Mbit QDRII及DDRII SRAM元件。完整的產品系列包含多種不同速率及組態，預計於2009年8月起於日本陸續供應樣本，並於2010年1月起陸續量產。
新款產品提供下列特色：
(1) 達到業界最高運作速度：QDRII+、DDRII+ SRAM可達533 MHz，QDRII、DDRII版本可達333 MHz
由於瑞薩採用45 nm製程，因此可大幅提高上述產品的運作速度，同時維持低電壓運作。QDRII SRAM可達到業界最高運作速度333 MHz，QDRII+ SRAM產品亦提供業界最高運作速度533 MHz。上述產品可為支援10G、40G以上多層通訊系統的高階路由器及交換器，提供封包查詢及封包暫存應用之支援。
(2) 種類齊全的72-Mbit產品
瑞薩將提供支援三種資料I/O寬度 (9、18或36 bits)，以及兩種突發長度 (2或4 words) 的產品。另外，瑞薩將提供內建ODT (on-die termination) 的產品，可大幅減少高速運作時訊號品質降低的情形。瑞薩提供多種QDRII、DDR II、QDRII+及DDRII+ SRAM產品，使用者可選擇最適合其系統的解決方案。
<產品背景>
隨著網際網路持續發展，傳輸速度及傳送至通訊設備的資料量均不斷成長，目前資料傳輸速度已超過每秒40Gb。因此，高階網路設備需要可高速運作的高密度記憶體，以檢查資料封包目的地，並管理資料封包流量。另外，視訊、語音及資料應用程式使得資料愈趨複雜，也因而需要更大容量的記憶體。
瑞薩科技目前提供多種SRAM產品，運用於工業用途及UNIX*3伺服器與工作站之快取記憶體，以及用於通訊設備的18-Mbit Network SRAM、36-Mbit DDRII及QDRII SRAM等產品。隨著網路設備邁向更高水準的效能與容量，瑞薩科技運用其設計專業及製造技術，讓72-Mbit QDRII及QDRII+ SRAM產品達到更高速度及可靠性，以滿足通訊設備對於更高速、更大容量及更大位元寬度之需求。
<產品詳細資訊>
上述產品提供各種突發長度與位元寬度的組合，並採用HSTL (High-Speed Transistor Logic) 介面，以連接超高速同步SRAM。
封裝部分採用165-pin塑膠FBGA，尺寸為15 mm × 17 mm，具有優異的散熱特性，並適合高密度安裝。上述產品符合RoHS Directive*4，並提供無鉛版本。QDR針腳組態可支援在未來將密度提升至288 Mb。另外，FBGA封裝產品支援IEEE標準測試存取埠及邊界掃瞄架構 (IEEE Std 1149.1-1990)，可在模組安裝時，進行基板層級的互換連接檢查。
對於此領域的未來發展，瑞薩已有明確的發展藍圖，將開發更大容量、更高效能的QDR/DDR SRAM產品，以支援持續成長的客戶需求。
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