SK Hynix首發321層快閃記憶體，三星被搶快原因揭秘：步伐邁太大
日前SK Hynix宣布全球首發321層堆棧的4D快閃記憶體，這也是快閃記憶體首次提升到300層以上，核心容量1Tb，TLC類型。在堆棧層數上，SK Hynix的4D快閃記憶體因為架構不同，相比其他家來說堆棧層數佔優一些，譬如之前美光及中國長江儲存推出的都是232層，SK Hynix上一個記錄是238層，多了那麼幾層。這次首發321層也是如此，拿到了全球首發，但產品要到2025年才能量產，因此未來兩年的變數還很大。
真正值得注意的是，在堆棧層數的競爭上，一哥三星一直很低調，2022年11月份宣布量產第八代V-NAND，TLC類型，核心容量也是1Tb，但堆棧層數沒公佈，業界分析是230+以上，具體未知。三星預計在2024年量產第九代V-NAND，層數提升到280，再往後預計2025-2026年推出第十代V-NAND，堆棧層數430+。
這就是為什麼三星在300+層技術上被SK Hynix搶快的原因，三星計劃跳過300層，不打算搞這個等級的快閃記憶體，直接進入到400+層時代，到時候這個層數要比友商的300+層領先很多。三星這次步子邁得很大，計劃是美好的，但是跳過這一等級的快閃記憶體，技術上挑戰也不小，最終能否如願還要時間來檢驗。
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預測未來5年NAND都會呈現長期低價:time:...
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