紫光公開嵌入式多層SeDRAM記憶體：頻寬、能效遙遙領先
近日的VLSI 2023技術與電路研討會上，西安紫光國芯公開發表技術論文《採用小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》，展示了西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。本年度的VLSI會議共收到全球投稿632篇，最終錄取212篇，只有2篇來自中國企業，其中1篇就是西安紫光國芯的貢獻的。西安紫光國芯的新一代多層陣列SeDRAM，相較於上一代單層陣列結構，主要採用了低溫混合鍵合技術(Hybrid Bonding)、微型矽穿孔(mini-TSV)堆積技術。
這種記憶體的每Gbit由2048個數據接口組成，每個接口的數據速度都達到541Mbps，最終實現了業界領先的135 GBps/Gbit頻寬、0.66 pJ/bit能效，此實現了邏輯單元和DRAM陣列三維整合。
2020年西安紫光國芯發布了第一代SeDRAM技術，之後實現了多款產品的大規模量產，而這次發布的新一代多層陣列SeDRAM技術，實現了更小的電容電阻、更大的頻寬和容量，可廣泛應用於近存計算、大數據處理、高性能計算等領域。
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