SK hynix HBM3E（HBM3 Extended）第5代高頻寬記憶體將於2024年進入量產
SK hynix宣布其1bnm製程現在已針對首批數據中心產品進行了驗證。該節點將用於生產DDR5和HBM3E記憶體，後者是High-Bandwidth-Memory的更快版本。該公司確認XEON平台現已通過Intel認證，可支援採用第5代10nm製程的DDR5產品。1bnm DDR5的成功評估恰逢1annm（第4代10nm製程）已經準備就緒並完成了Intel的驗證。根據公告第一款DDR5提供6.4Gbps的傳輸速度，比DDR5開發早期的產品提高了33%。
更重要的是1bnm DDR5記憶體比1anm製程功耗低20%。該公司指出這是因為HKMB製程導入了一種高介電常數材料，可防止洩漏電流並提高電容。同樣重要的是確認1bnm製程也將被HBM3E（HBM3 Extended）使用。SK hynix僅確認這種類型的高頻寬記憶體可實現8Gbps的數據處理速度，並且應該會在2024年進入量產。這比 HBM3提高了 25%，是第一代HBM的8倍。
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