三星的目標是在未來採用3D NAND技術推出PB級SSD，但要到2030年以後才會上架
三星已經討論了其未來3D NAND技術在其SSD中提供高達PB容量的計劃，儘管它們可能會在十年後出現。在今年的中國快閃記憶體市場高峰會 (CFMS2023)上，三星電子與Micron、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名快閃記憶體公司一同出席。三星電子以“快閃記憶體的再進化，邁向新時代”為題與現場觀眾進行了交流。該討論強調了該公司的高級記憶體容量的能力以及透過其3D NAND實現如此高容量的努力。
三星電子NAND產品規劃組副總裁兼總經理Kyungryun Kim解釋說三個層次的技術——物理縮放、邏輯縮放和封裝技術——不僅在不斷發展，而且理論上能夠達到1PB的容量。然而按照今天當前的技術標準，該公司將無法再過10年實現這一目標。此外該公司正在尋求將四級單元技術用於更多儲存設備，並專注於使該技術更加熟練。
在討論達到五級容量的演進時，該公司還展示了PM1743系列PCIe 5.0固態硬碟（SSD）。新的PM1743系列的能效比以前的型號高出40%，並且已經過測試與 Intel和AMD PCIe Gen 5平台相容。
三星在討論其技術進步時總是有些沉默，尤其是3D NAND。該公司正在繼續尋找方法，以更廣泛的採用率將四級單元3D NAND設備推向公眾。三星認為專注於更新的控制器技術將實現這些目標。目前該公司在物理上擴展了3D NAND設備。然而該公司需要研究邏輯擴展，以讓儲存設備訪問超過一千層。邏輯縮放將允許增加每個單元格中儲存的訊息位數。
儘管該公司一直對其技術保持沉默，但其競爭對手鎧俠對其發展卻更加透明。該公司於2019年推出了五級單元3D NAND儲存器，每個單元最多可儲存五位元 (5 bpc)。兩年後Kioxia超越了5 bpc技術，達到了6 bpc。該公司表示他們還在研究是否可以將速度提高到8 bpc，從而打造八級單元3D NAND儲存設備。目前該公司尚未達到這樣的長度。
每個單元儲存多個位元對許多3D NAND製造商提出了許多挑戰。辨識能夠儲存各種電壓狀態同時又能夠區分它們以防止干擾的材料是所有公司目前都在努力克服的障礙之一。此外他們還需要開發糾錯技術，以便在每個單元的位元數增加時保持數據完整性。
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