SK Hynix下一代10nm DRAM開始Intel的DDR5驗證測試
據韓國新聞網站Chosun Biz報導，SK Hynix是領先的DRAM製造商之一，最近進入了Intel針對伺服器端使用的DDR5與其即將推出的DRAM標準的相容性驗證流程。該公司的下一步是更接近新產品的量產，尤其是採用伺服器的DRAM。SK Hynix將等待Intel對該公司新的10nm級第五代伺服器DRAM進行完整的相容性驗證。下個月驗證過程將開始，看看新的DRAM是否可以用於Intel的伺服器處理器。隨著Intel保持伺服器處理器市場90%的穩定，SK Hynix希望他們的新DRAM將與Intel處理器一起使用，以便在伺服器（例如數據中心）中得到充分利用。該公司還實現了第一個10nm級第四代伺服器DRAM，同時Intel還展示了其新的Intel XEON可擴展處理器，也稱為Sapphire Rapids。
SK Hynix的下一步業務計劃是推出將在未來量產的1ß nano DRAM。與該公司成本更高的競爭產品相比，新的DRAM將效率提高了40%。記憶體行業的另一家領導者三星電子最近推出了採用1ß nm製程的16GB DDR5 DRAM。三星選擇與之完成相容性驗證的公司是Intel的CPU競爭對手AMD。
最近據透露SK Hynix和三星等DRAM製造商已經提高了包括HBM在內的解決方案的價格。NVIDIA已要求SK Hynix提高該公司的HBM3產能。然而其他供應商正在尋求將HBM3整合到他們的下一代產品中，例如Intel。這將導致SK Hynix無法維持對其產品的需求。話雖這麼說HBM3的定價已經比原來的成本增加了五倍。
目前SK Hynix和競爭對手三星電子是唯一有能力使用較新的極紫外 (EUV)光刻製程製造電腦零件的機構。
消息來源 可不可以不只是"10nm 級"!?
請端出 "正 10nm 工藝" 的 DRAM:L..
頁:
[1]