Intel有望透過EUV光刻技術開發14A 1.4nm和10A 1.0nm製程
據報導Intel將在未來幾年內發布更新的製程技術——3、20A 和 18A。從Alder Lake系列處理器開始，該公司已經在2021年實現了Intel 7 。Intel 7還用於Raptor Lake、Sapphire Rapids、Xe-HP和Xe-HPC。現在該公司正著眼於未來，新的製程將從明年上半年開始量產。Intel正在研究和開發Intel 4，它是最初的7nm製程技術，將在Meteor Lake和Granite Rapids中使用。據說透過使用EUV光刻技術，每W性能 (PPW) 比Intel 7高出20%。Intel 3隨後將增加EUV光刻以實現更多模組化，並計劃提供更高性能，將PPW提高到18%。
Intel 20A和18A將推動ASML製造的EUV機器到2024年生產1.8nm製程。20A和18A處理器系列未知，但將採用RibbonFET（帶狀場效應電晶體管）和PowerVia（後端供電網路）用於20A和第二代RibbonFET和18A的高NA EUV光刻。RibbonFET在去年取代了FinFET電晶體管架構。
ASML預計到2028年達到1nm大關，但在協助Intel開發未來一代14A製程之前，它將使用1.4nm製程。EUV光刻技術，尤其是在改進製程方面的研究，將增加製造成本以及打造更新機器以打造新製程的成本。目前EUV光刻機成本接近1.5億美元，推測成本將上升至4億美元。
目前正在開發的最新ASML EUV光刻機是EXE:5000系列，到2026年將支援High NA技術，這與Intel的18A計劃不謀而合。Intel尚未正式宣布開發最新一代的兩個產品（20A和18A），但有傳言稱這家科技龍頭正在開發中，這將符合其2021年制定的五年計劃。
消息來源 功耗沒降下來的話, 幾 nm 都一樣!:L..
i社的技術長還在嗎!? 肯定會延後:time:...
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