三星宣布量產第8代236層V-NAND閃存 業界最高位密度，I/O速率達2.4Gbps
三星宣布，已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，達到了236層，相比第7代V-NAND技術的176層有了大幅度的提高。三星稱，新的閃存芯片提供了迄今為止業界內最高的位密度，可在下一代企業服務器系統中實現更大的存儲空間。第8代V-NAND閃存基於最新NAND閃存標準的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率達到了2.4 Gbps，比上一代產品提高了1.2倍，這使得新款閃存芯片能夠滿足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0產品的性能要求。三星表示，第8代V-NAND閃存有望成為存儲配置的基石，不但有助於擴展下一代企業服務器的存儲容量，而且還能擴展到對可靠性要求較高的汽車市場。
今年5月份，美光宣布推出232層的3D TLC NAND閃存，並準備在2022年末開始生產，計劃用在包括固態硬盤在內的各種產品上。該款芯片採用了CuA架構，使用了NAND的字符串堆疊技術，初始容量同為1Tb。到了8月份，SK海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存，同時已向合作夥伴發送512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，併計劃在2023年上半年正式投入量產。
目前NAND閃存市場裡，三星的市場份額是最高的，到達了35%。隨著採用第8代V-NAND技術的產品引入，三星在層數上已追上SK海力士和美光，以確保市場上的競爭優勢。
消息來源
頁:
[1]