(PR)三星談論下一代DRAM解決方案：到2030年將有36Gbps GDDR7、32Gb DDR5、超過1000個V-NAND Layers
三星公佈了其下一代DRAM決方案的計劃，包括GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND。三星宣布的三種主要DRAM解決方案包括其32Gb DRAM密度，與現有的16Gb相比，現有16Gb的容量增加了33%，而24Gb DDR5 IC已經開發了一段時間。該公司還宣布了其首個GDDR7規格，該規格將提供高達36Gbps的傳輸速率。與上個季投入生產的三星當前最快的24 Gbps GDDR6解決方案相比，速度提高了 50% 。AMD的下一代RDNA 3 GPU預計將率先採用全新的GDDR6，但GDDR7必須等待一至兩代才能看到它的實際應用。
但跨384位元頻寬的36Gbps DRAM應可提供高達1.7TB/s的頻寬，而有相同速度的256位元頻寬將提供1.15TB/s的頻寬。與Micron的GDDR6X解決方案相比，兩者的頻寬數據都要高得多。
新聞稿：先進半導體技術的全球領導者三星電子今天在2022年三星技術日展示了一系列旨在推動未來十年數位化轉型的尖端半導體解決方案。自2017年以來的年度會議，該活動回到了- 三年後在Hilton San Jose hotel入住的人。
今年的活動有800多名客戶和合作夥伴參加，三星的記憶體和系統LSI業務負責人發表了演講，其中包括記憶體業務總裁兼負責人Jung-bae Lee；Yong-In Park，系統LSI業務總裁兼負責人；和執行副總裁兼設備解決方案 (DS) 美洲辦事處負責人 Jaeheon Jeong — 關於公司的最新進展及其對未來的願景。
三星電子在Tech Day展台上首次展示了多項先進的邏輯晶片技術，包括5G Exynos Modem 5300、Exynos Auto V920和QD OLED DDI，它們是行動、家電和汽車等各個行業必不可少的零件.
今年新發布或宣布的晶片（包括高級行動處理器 Exynos 2200）以及200MP ISOCELL HP3（有業界最小0.56微米 (μm) 畫素的影像感光元件傳感器）也在展出。
Exynos 2200以最先進的4納米 (nm) EUV（極紫外光刻）製程為基礎，結合尖端的行動、GPU和NPU技術，為智慧手機用戶提供最佳體驗。ISOCELL HP3的畫素尺寸比前代的0.64μm小12%，可將相機模組表面積減少約20%，從而使智慧手機製造商能夠保持其高階設備纖薄。
三星透過向技術日的與會者展示使用200MP感光元件拍攝的照片的畫質，以及展示System LSI用於生物辨識支付卡的指紋安全IC的工作原理，展示了其ISOCELL HP3的工作原理，該IC結合了指紋感測器、安全元件(SE) 和安全處理器，在支付卡中增加了一層額外的身份驗證和安全性。
在DRAM和NAND分別處於領先地位30年和20年的一年中，三星推出了其第五代10nm級 (1b) DRAM以及第八代和第九代垂直NAND (V-NAND)，肯定了公司承諾在未來十年繼續提供最強大的技術組合。
三星的1b DRAM目前正在開發中，計劃於2023年量產。為了克服DRAM擴展到10nm範圍以外的挑戰，該公司一直在開發材料和架構方面的顛覆性解決方案，High-K材料等技術正在順利進行中，該公司隨後重點介紹了即將推出的DRAM解決方案，例如32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM，它們將為數據中心、HPC、行動、遊戲和汽車市場領域帶來新的功能。
除了傳統DRAM之外，三星還強調了定制DRAM解決方案的重要性，例如HBM-PIM、AXDIMM和CXL，它們可以推動系統級創新，更好地處理全球數據的爆炸性增長。
自十年前問世以來，三星的V-NAND技術已經發展了八代，層數增加了10倍，位元增長了15 倍。三星最新的512Gb第八代V-NAND的位元密度提高了42%，在迄今為止的512Gb三級單元 (TLC)產品中達到了業界最高的位元密度。全球最高容量的1Tb TLC V-NAND將於今年年底向客戶提供。
該公司還指出其第九代V-NAND正在開發中，計劃於2024年量產。到2030年三星設想堆疊超過1,000層，以更好地支援未來的數據密集型技術。
隨著人工智慧和大數據應用推動對更快和更高容量記憶體的需求，三星將透過加速向四級單元 (QLC) 的過渡來繼續跨越位元密度，同時進一步提高能效以支援全球更可持續的客戶營運.
消息來源
頁:
[1]