三星定於今年6月前全力轉投第六代11nm 1c DRAM晶片開發
據Business Korea報導三星近期設立了一個新的目標，希望在今年6 月前完成採用11nm製程的第六代1c DRAM的開發。消息稱該公司已要求自家研發人員停下或跳過採用12nm製程的1b DRAM的開發，以期擴大並維持較競爭對手的技術領先優勢。當然這不是我們首次看到三星作出類似的決定，此前這家韓國電子科技龍頭曾放棄28nm DRAM、並全面轉向25nm DRAM的生產。不過業內專家指出11nm DRAM 的生產並非易事。因其需要先進的技術作為支撐，而當前三星在1a DRAM（10nm等級的第4代記憶體產品）的量產上落後於兩大競爭對手。
在巨大的壓力之下，報導稱三星正希望找到一種方法來實現既定目標。
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