3億美元單價翻倍，ASML下一代EUV光刻機將提前量產
在上月的ITF大會上半導體行業大腦IMEC（比利時微電子研究中心）公佈的藍圖顯示，2025年後電晶體進入埃米尺度（Å，angstrom，1埃=0.1奈米），其中2025對應A14（14Å=1.4奈米），2027年為A10（10Å=1奈米）、2029年為A7（7Å＝0.7奈米）。當時IMEC就表示除了新電晶體結構、2D材料，還有很關鍵的一環就是High NA（高數值孔徑）EUV光刻機。其透露0.55NA的下代EUV光刻機一號試做機（EXE:5000）會在2023年由ASML提供給IMEC，2026年量產。不過本月與媒體交流時ASML似乎暗示這個進度要提前。第一台高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進行研發並從2025年開始量產。
據悉相較於當前0.33NA的EUV光刻機，0.55NA有了革命性進步，它能允許蝕刻更高解析度的圖案。分析師Alan Priestley稱0.55NA光刻機一台的價格會高達3億美元，是當前0.33NA的兩倍。早在今年7月Intel就表態致力於成為高NA光刻機的首個客戶，Intel行銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，並將高NA EUV光刻機視為一次重大技術突破。
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