台積電 2nm 工藝重大突破 2023 年投入試產
這幾年，天字一號代工廠台積電在新工藝進展上簡直是開掛一般的存在，7nm 工藝全面普及，5nm 工藝一路領先，3nm 工藝近在眼前，2nm 工藝也進展神速。根據最新報導，台積電已經在 2nm 工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂觀預計，2nm 工藝有望在 2023 年下半年進行風險性試產，2024 年就能步入量產階段。
台積電還表示，2nm 的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續摩爾定律，繼續挺進 1nm 工藝的研發。台積電預計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD 等客戶都有望率先採納其 2nm 工藝。
2nm 工藝上，台積電將放棄延續多年的 FinFET ( 鰭式場效應晶體管 )，甚至不使用三星規劃在 3nm 工藝上使用的 GAAFET ( 環繞柵極場效應晶體管 )，也就是納米線 ( nanowire )，而是將其拓展成為“MBCFET”( 多橋通道場效應晶體管 )，也就是奈米片 ( nanosheet )。
從 GAAFET 到 MBCFET，從奈米線到奈米片，可以視為從二維到三維的躍進，能夠大大改進電路控制，降低漏電率。
當然，新工藝的成本越發會成為天文數字，三星已經在 5nm 工藝研發上已經投入了大約 4.8 億美元，3nm GAAFET 上會大大超過 5 億美元。
台積電很少披露具體工藝節點上的投入數字，但是大家可以放開去想像了……
文章來源
頁:
[1]