ARM和DARPA簽署三年合作協議，以維持美國晶片設計領先地位
英國晶片設計公司ARM昨天宣布，它已經和美國國防高級研究計劃局（DARPA）簽訂了為期三年的合作協議，這一進展與美國最近將半導體製造導入其國內的努力相一致。在宣布這一消息的同時，該機構結束了與電子復興計劃(ERI)相關的活動，該計劃的重點是減少對國際製造的半導體的依賴。根據合作關係ARM 公司的所有商業晶片設計架構和知識財產權都可用於DARPA項目。二者還將在依靠低功耗使用的感測器等工作上進行合作，以實現持續監測。在昨天召開的ERI 峰會上ARM 首席執行官Simon Segars 重點討論了物聯網（IoT）範疇的設備，以及這些設備與下一代5G網路的連接。
ERI是一個有兩年歷史的項目，它是在政府關注晶片設計和創新資源向國外轉移之後設立的，它的目的是將產業界和學術界的合作夥伴聚集在一起，促進微電子產業的四個關鍵領域。這些領域包括開發用於晶片製造的新材料、通過通矽孔垂直整合多個零件、打造晶片的定制應用以及確保晶片安全和設計的最新知識。
ARM和DARPA還針對屬於近零功率射頻和感測器操作（N-Zero）計劃進行合作。通過該計劃ARM將為1000名DARPA員工提供訪問其知識財產權的機會。N-Zero 計劃專門用於軍事用途的產品，它的目標是開發能夠在低功耗狀態下檢測光、聲音和運動並長期保持休眠狀態的感測器。
消息來源
頁:
[1]