三星人員發現了一種新的半導體材料，稱為非晶氮化硼（a-BN），將加速下一代半導體問世
三星高級技術學院（SAIT）的研究人員與蔚山國立科學技術學院（UNIST）和劍橋大學合作，揭開了一種名為非晶態氮化硼（a-BN）的新材料的發現。這項研究發表在《自然》雜誌上，有可能加速下一代半導體的問世。最近SAIT一直在研究和開發二維（2D）材料–具有單原子層的晶體材料。具體而言該研究所一直致力於石墨烯的研究和開發，並在該領域取得了突破性的研究成果，例如開發新的石墨烯電晶體管以及生產大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發石墨烯外，SAIT還致力於加速材料的商業化。
新發現的材料稱為非晶氮化硼（a-BN），由擁有非晶分子結構的硼和氮原子組成。儘管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子，但實際上a-BN的分子結構使其與白色石墨烯擁有獨特的區別。
非晶氮化硼擁有1.78的同類最佳的超低介電常數，有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電的干擾。還證明了該材料可以在僅400°C的低溫下以晶圓級生長。因此預計非晶氮化硼將廣泛應用於諸如DRAM和NAND解決方案的半導體，尤其是在用於大型伺服器的下一代儲存器解決方案中。
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加速是指1y5y或是10y也有可能失敗.
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