三星首發第三代HBM2E顯示記憶體：頻寬增加33%，頻率至3.2Gbps
本週固態儲存協會（JEDEC）發布第三版HBM2儲存標準JESD235C，將針腳頻寬提高到3.2Gbps，前兩版中依次是2Gbps、2.4Gbps，頻率提升33%。按照設計規範，單Die最大2GB、單堆棧12 Die（無標準高度限制），也就是24GB容量，對應1024bit頻寬，單堆棧理論最大頻寬410GB/s。對於支援四堆棧（4096bit）的顯示晶片來說，總頻寬高達1.64TB/s。第三代HBM2的電壓和上一版一致，為1.2V，比第一代的1.35V有所下降。簡單比較下，常見高階顯示卡採用的256bit GDDR6，按照14Gbps的針腳頻寬計算，總頻寬448GB/s，也就是第三代HBM2一個堆棧的水平。考慮到HBM2更容易擴充匯流排寬度，GDDR6過猶不及，況且單堆棧最大容量就能達到24GB，四堆棧直逼100GB。
事實上3.2Gbps的第三代HBM2早先已經由三星和SK Hynix提出，並更名為HBM2E，這種說法也得到了JEDEC默認。在JESD235C標準發布的同時，三星宣布名為Flashbolt（前兩代名為Flarebolt和Aquabolt）的第三代HBM2（HBM2E）儲存晶片將在上半年量產，單顆最大容量16GB，由16Gb的單Die通過8層堆疊而成。
三星的第三代HBM2E甚至支援超頻，單針腳可加速到4.2Gbps，單堆棧最大頻寬從而升至538GB/s。
消息來源
頁:
[1]