東芝針對行動裝置和消費應用推出業界領先小型封裝N-channel MOSFET驅動IC
內建保護功能並適合快速充電和其他大電流電源應用
東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(9月28日)宣布推出兩款TCK401G（高電位作動）和TCK402G（低電位作動）N-channel MOSFET驅動IC，該產品支援最高可達28V的輸入電壓，適合快速充電和需要大電流電源的其他應用。新MOSFET驅動IC的量產出貨即日啟動。
此兩款IC具備多種內建保護功能，包括過壓保護、浪湧電流抑制和自動輸出放電功能，但依然採用業界領先的WCSP6E小型封裝，尺寸為0.8mm × 1.2mm × 0.55mm（標準值）。
可利用一個配有外部N-channel MOSFET的驅動器實現高效率電源電路，其中該MOSFET具備適合於目標應用的最大額定電壓和導通電阻。例如，新型MOSFET驅動器和低導通電阻SSM6K513NU MOSFET相結合適合於行動裝置和消費應用，其可在較小空間內建構100W等級電源電路。
應用領域
行動裝置
消費型設備
產品特點
低靜態電流: IB(ON1) = 0.34μA（標準值）
高紋波抑制比: R.R.= 70dB（標準值）
高速負載暫態回應: ⊿VOUT = 60mV（標準值）
主要規格
備註：
當模式控制輸入端子處於高態時，則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於低態時，則外部MOSFET關斷。
當模式控制輸入端子處於低態時，則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於高態時，則外部MOSFET關斷。
一種N通道MOSFET驅動IC，截至2017年9月27日。東芝電子元件及儲存裝置株式會社調查。
自VCT達到VIH值一半之時起，VGATE達到規定值所耗時間。
東芝網站：https://toshiba.semicon-storage.com/tw/top.html
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