東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體
東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體湧浪順向電流提升70%，降低切換損失RON*Qc指數30% 東芝半導體與儲存產品公司今（1月24日）宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。 此款碳化矽蕭特基位障二極體採用東芝第二代碳化矽的製程製造，相較第一代產品提升了70%的湧浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數約30%，使其適合用於高效率的功率因素修正方案。 新產品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流，用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率，以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。碳化矽蕭特基位障二極體產品線及主要規格
包裝特性
(Ta=25℃)絕對最大額定值電氣特性
順向直流電流非重複性峰值湧浪順向電流功耗順向電壓陽極-陰極 導通電阻接面電容總電容電荷
符號IF(DC)IFSMPtotVFRonCjQC
數值最大值最大值最大值典型值
＆最大值典型值典型值.典型值
單位(A)（A)(W)(V)（ｍΩ）（pF）（nC)
測試條件/料號-@ Half-sine Wave
t=10 ms-@IF(DC)@IF(DC)×
0.25 to 1.0@VR=1 V@VR=400 V
非絕緣
TO-220-2LTRS4E65F43955.61.45
(Typ.)
1.60
(Max)12016510.4
TRS6E65F65568.28223015.1
TRS8E65F86983.36230019.7
TRS10E65F10831074840024.4
絕緣
TO-220F-2LTRS4A65F43733.61.45
(Typ.)
1.60
(Max)12016510.4
TRS6A65F65235.48223015.1
TRS8A65F86537.56230019.7
TRS10A65F107939.74840024.4
註 RON:陽極-陰極 導通電阻， Qc: 總電容電荷
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