安森美半導體推出新類別的CCD圖像感測器，重新定義微光成像性能
新的KAE-02150圖像感測器結合行間轉移CCD及電子倍增技術，為工業應用在日光及星光下
提供非凡的微光影像擷取性能
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新類別的電荷耦合元件(CCD)圖像感測器技術，為微光成像在工業市場樹立了新的基準。
此新技術結合安森美半導體領先業界的行間轉移(Interline Transfer, IT)、 CCD畫素設計及新開發的電子倍增(Electron Multiplication, EM)輸出結構，使圖像感測器方案能夠為極微光成像提供亞電子(sub-electron)雜訊性能，並維持CCD級圖像品質和均勻性。KAE-02150是首款採用新技術的圖像感測器，能在日光到星光、高光到背光等差異極大的光照條件下擷取1080p(1920x 1080)影像，因而大幅拓展單一攝影機成像系統的成像能力。這在極缺乏光照的應用中尤為有利，如監控、防衛/軍事、科學及醫療成像、智慧交通系統。
安森美半導體圖像傳感器業務部副總裁Chris McNiffe說：「KAE-02150圖像感測器是我們首款充分利用新的行間轉移EMCCD技術的元件，為業界提供了一款革命性的方案。CCD元件的優異圖像品質及均勻性擴展至極微光條件，使工業市場的客戶能在高難度成像條件下獲得全新的高階性能。這明確展示了安森美半導體獨一無二的能力，能充分利用公司不斷擴增的成像技術，為客戶提供最先進的成像方案。」
KAE-02150採用創新的輸出電路設計，用於同一圖像內以逐一圖元為基礎利用傳統CCD(低增益)或EMCCD(高增益)輸出，支援高動態範圍(HDR)成像。測量各個單獨畫素的電荷，並比較信號位準與拍照系統中用戶可選擇的閾值，以確定各個電荷包(packet)的路由位置。場景中極微光照區域的畫素可以選擇性地路由至EMCCD輸出，而圖像中明亮區域的畫素(通常可能會使EMCCD暫存器飽和並使圖像失真)，會路由至傳統CCD輸出放大器。有了這種場景內可切換增益特性，兩種輸出的信號因而可以重新組合，使單一攝影機能夠恰當地在暗處呈現明亮的區域，能夠提供變化光照條件下的動態補償，如車前燈進入或離開微光的場景。
新的KAE系列器件基於TRUESENSE 5.5微米IT-CCD平台已證明行之有效性能。此IT-CCD平台帶有全域快門、優異圖像均勻性、調製轉換函數(MTF)，用於當今100萬畫素至2,900萬畫素的寬廣陣容元件。KAE系列將會擴充，加入額外的光學格式、解析度及畫素大小。
KAE-02150現已提供樣品，具備單色及拜耳色彩配置。2014年底前還將提供包含硬體及軟體的評估套件，使客戶能夠針對他們特定應用鑒定此新元件的性能。
VISION Trade Fair
KAE-02150圖像感測器將於2014年11月4日至6日在德國斯圖加特2014 VISION展覽會上的安森美半導體展位(1C82)上展示。
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