安森美半導體推出兩款新的MOSFET元件，幫助智慧型手機將電池使用時間延至最長
新的LGA封裝MOSFET幫助將空間受限的智慧型手機及平板電腦應用的能效及電池使用時間提升至極致
單節及雙節鋰離子電池充電/放電保護電路因高性能覆晶晶片MOSFET而受益
2013年6月5日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的MOSFET元件，用於智慧型手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
這兩款元件符合RoHS指令，適用於單節及雙節鋰離子電池應用，提供領先業界的導通阻抗(RDS(on))性能水準，使用平面閘格陣列(LGA)結構，以提供小型的低高度設計，使其適合用於通常空間受限的智慧型手機及平板電腦應用。EFC6601R的額定最大源極至源極電壓(VSSS)為24伏(V)， EFC6602R的額定最大VSSS為12 V。兩款元件都採用2.5 V供電電壓工作，採用共漏極結構，包含內置保護二極管。
安森美半導體的三洋半導體產品部MOS產品總經理秋庭隆史說：「自從鋰離子電池面市以來，安森美半導體一直在開發及提供充電/放電保護電路開關MOSFET。我們積累的專業知識和技術使我們能夠開發出這些微型元件，更進一步延長電池使用時間及提升能效。」
安森美半導體計劃在年內再增添5款EFC系列MOSFET元件，説明從事更寬廣範圍的行動設備設計人員實現減小方案尺寸及延長電池使用時間的應用目標。
封裝及價格
EFC6601R及EFC6602R採用無鹵素EFCP封裝，每5,000片批量的單價分別為0.80和1.00美元。
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